SIHP065N60E-GE3 Tranzystor N-MOSFET
Inna

SIHP065N60E-GE3 Tranzystor N-MOSFET

88,46 zł
Przejdź do sklepu

Darmowa dostawa

Opis

Zakup dotyczy = 1 szt.

Producent = VISHAY; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 650V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 25A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 65m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 250W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 98nC; Rodzaj kanału = wzbogacany