Opis
Producent = PanJit Semiconductor; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = 20V; Prąd drenu = 4,1A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 95m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 1,25W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 4,6nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±12V; Prąd drenu w impulsie = 16,4A