Opis
Producent = DIODES INCORPORATED; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23-3; Napięcie dren-źródło = 30V; Napięcie bramka-źródło = ±8V; Prąd drenu = 2,2A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 200m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 650mW; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 9A