Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = SMD; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 30V; Rezystancja w stanie przewodzenia = 8m?; Prąd drenu = 53A; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Technologia = OptiMOS™ 3; Obudowa = PG-TDSON-8; Moc rozpraszana = 35W