Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = Infineon (IRF)Obudowa = TO220ABMontaż = THTPolaryzacja = unipolarnyTechnologia = HEXFET®Rodzaj opakowania = tubaRodzaj kanału = wzbogacanyTyp tranzystora = P-MOSFETNapięcie dren-źródło = -100VPrąd drenu = -40AŁadunek bramki = 120nCRezystancja w stanie przewodzenia = 60m?
Napięcie bramka-źródło = ±20VMoc rozpraszana = 200W